2019年上海交通大學(xué)半導(dǎo)體物理與器件基礎(chǔ)真題回憶（874）

爆裂魔法 · 發(fā)表于 2018-12-27 17:45

本來考完試想睡個懶覺，沒想到意外的醒過來了，想了想應(yīng)該把昨晚回憶的真題發(fā)一下，給20考研的同學(xué)們一個參考，順通談一談我對這幾年874考研的一些看法。我發(fā)揮的一般，主要是今年的數(shù)學(xué)有點拿不準，像*年回憶的那位前輩一樣，我也來攢攢人品，希望自己能進復(fù)試 |?ω?｀)
真題因為有公式所以我發(fā)了圖片形式，數(shù)字我是不記得的，不過已經(jīng)盡量寫的詳細了。19年之前的題目想必大家都能找到，相比之下我感覺今年的題目有幾個特點，說的不對還請指正。
1.知識全面。雖然大題還是八個（去年九個），但是每個大題可以說是充分的進行了考察，特別是器件部分，pn結(jié)把I*關(guān)系和勢壘電容全考了，Mosfet把閾值電壓和I*考了還考了個小信號參數(shù)，BJT考了個證明和基本概念理解，回歸基礎(chǔ)。這要求在復(fù)習(xí)的時候面面俱到，掌握知識點要全面。
2.回歸基礎(chǔ)。19考了三個證明題，有兩道在物理，一道在器件。尤其是器件的證明題，因為之前的年份考察的不多，很多人不重視甚至根本不看，今年考到發(fā)射效率的證明就麻煩了。第二大題證明二維情況下的狀態(tài)密度也是沒有考察過的，如果復(fù)習(xí)的時候只是死記硬背三維情況下的證明，就會無從下手。這些都要求我們在復(fù)習(xí)的時候注重掌握基本原理。專業(yè)課不是政治，考察的要求是你對知識的掌握程度，不能全靠記憶來學(xué)。同時要注意總結(jié)和歸納，我在考前總結(jié)了常見的證明，很幸運今年考到的證明題*所準備。
3.原題重現(xiàn)。多做題有好處，專業(yè)課出卷不像數(shù)學(xué)，每年*很大一部分都是原題，如果多做題可能就能遇見。今年的第一題我前幾天剛剛看過一遍，可惜考試的時候沒記起來，求的有點偏差...第三大題也是原題，基本上都算原題吧，874不會考很陌生的東西。
其他的也沒什么可說的了，計算器是可以用的，準考證上有標明，我?guī)У氖强ㄎ鳉W991cnx。我所在的考場有兩個874，兩個863（電科的電磁場），隔壁考場有十幾個819，電院競爭最激烈的無疑是兩門通信專業(yè)，考前糾結(jié)了很久報了電科，沒想到考場還是有不少競爭對手，有點慌畢竟今年縮招了。

來源: 19上海交大874半導(dǎo)體物理與器件基礎(chǔ)真題回憶

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桃花劫1 · 發(fā)表于 2019-8-13 18:01

你好，專業(yè)課資料出嗎

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[2019初試真題回憶] 2019年上海交通大學(xué)半導(dǎo)體物理與器件基礎(chǔ)真題回憶（874）

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