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[2019初試真題回憶] 2019年上海交通大學半導體物理與器件基礎真題回憶(874)

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發表于 2018-12-27 17:45 來自手機 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
本來考完試想睡個懶覺,沒想到意外的醒過來了,想了想應該把昨晚回憶的真題發一下,給20考研的同學們一個參考,順通談一談我對這幾年874考研的一些看法。我發揮的一般,主要是今年的數學有點拿不準,像*年回憶的那位前輩一樣,我也來攢攢人品,希望自己能進復試 |?ω?`)
真題因為有公式所以我發了圖片形式,數字我是不記得的,不過已經盡量寫的詳細了。19年之前的題目想必大家都能找到,相比之下我感覺今年的題目有幾個特點,說的不對還請指正。
1.知識全面。雖然大題還是八個(去年九個),但是每個大題可以說是充分的進行了考察,特別是器件部分,pn結把I*關系和勢壘電容全考了,Mosfet把閾值電壓和I*考了還考了個小信號參數,BJT考了個證明和基本概念理解,回歸基礎。這要求在復習的時候面面俱到,掌握知識點要全面。
2.回歸基礎。19考了三個證明題,有兩道在物理,一道在器件。尤其是器件的證明題,因為之前的年份考察的不多,很多人不重視甚至根本不看,今年考到發射效率的證明就麻煩了。第二大題證明二維情況下的狀態密度也是沒有考察過的,如果復習的時候只是死記硬背三維情況下的證明,就會無從下手。這些都要求我們在復習的時候注重掌握基本原理。專業課不是政治,考察的要求是你對知識的掌握程度,不能全靠記憶來學。同時要注意總結和歸納,我在考前總結了常見的證明,很幸運今年考到的證明題*所準備。
3.原題重現。多做題有好處,專業課出卷不像數學,每年*很大一部分都是原題,如果多做題可能就能遇見。今年的第一題我前幾天剛剛看過一遍,可惜考試的時候沒記起來,求的有點偏差...第三大題也是原題,基本上都算原題吧,874不會考很陌生的東西。
其他的也沒什么可說的了,計算器是可以用的,準考證上有標明,我帶的是卡西歐991cnx。我所在的考場有兩個874,兩個863(電科的電磁場),隔壁考場有十幾個819,電院競爭最激烈的無疑是兩門通信專業,考前糾結了很久報了電科,沒想到考場還是有不少競爭對手,有點慌畢竟今年縮招了。


來源: 19上海交大874半導體物理與器件基礎真題回憶

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發表于 2019-8-13 18:01 來自手機 | 只看該作者
你好,專業課資料出嗎

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