2014年電物學院復試真題回憶（器件，模電）

xt2010569 · 發(fā)表于 2014-4-7 11:41

模擬電子技術基礎
范圍：第10，11章可不看，第9章可略看，場效應管的電路可略看，其他基本全部要看
選擇10題（都是書上的基礎概念，書上的課后習題的選擇好像有原題，第一題是三極管三個電位，判斷什么管子，幾乎知識點都有的，所以都要看一遍）
畫圖2題，20分，晶體三極管的混合π型等效電路P226面的圖，并說明gm和C的意義
第二題P469自測題第二題
計算2題好像，都是課后習題
第二章2.11
第八章8.22
注：今年考了很多第八章的東西，第五章，都是容易略看的，反饋什么的竟然沒考，不按常理出牌啊，和去年的真題相比差距也很大，所以建議復習的時候把所有的課后習題都做了，我這里有勾的課后習題，范圍應該不會跑出去，今年卷子也許是劉士興老師出的，大家反映考的都不是很好，第五章和第八章都是本科上課的時候不怎么強調(diào)的內(nèi)容。

半導體器件物理
特征頻率，MOS管飽和區(qū)漏極電流不飽和原因，擴散電容與勢壘電容的區(qū)別
（以后還可能考到的：PN結擊穿機制，截止頻率）
兩種MOSFET的小尺寸效應及對各種器件的影響
推導Sah方程，驗證飽和區(qū)gm和線性區(qū)gd的關系
在NPN型雙極型晶體管正向有源區(qū)工作時Ic=qAE等等，不好打exp(qVbe/kT)求βF和提高βF的措施
給出理想N型半導體MOS電容的C-V特性曲線，并分區(qū)進行分析。
注：器件物理把以前的真題全部做了，背會保證ok

想了解復試的情況，問問學長學姐就可以了，面試也一般的，分組面試，部分專業(yè)較嚴，有的專業(yè)較松。大概都是英文自我介紹，中文自我介紹，英文提問，微固會有專業(yè)論文的翻譯，老師會提問一些問題，根據(jù)自我介紹，好好準備自己的畢業(yè)設計，這個很重要，多了解有關的內(nèi)容。