2014年電物學(xué)院復(fù)試真題回憶（器件，模電）

xt2010569

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)
范圍：第10，11章可不看，第9章可略看，場(chǎng)效應(yīng)管的電路可略看，其他基本全部要看
選擇10題（都是書上的基礎(chǔ)概念，書上的課后習(xí)題的選擇好像有原題，第一題是三極管三個(gè)電位，判斷什么管子，幾乎知識(shí)點(diǎn)都有的，所以都要看一遍）
畫圖2題，20分，晶體三極管的混合π型等效電路P226面的圖，并說(shuō)明gm和C的意義
第二題P469自測(cè)題第二題
計(jì)算2題好像，都是課后習(xí)題
第二章2.11
第八章8.22
注：今年考了很多第八章的東西，第五章，都是容易略看的，反饋什么的竟然沒(méi)考，不按常理出牌啊，和去年的真題相比差距也很大，所以建議復(fù)習(xí)的時(shí)候把所有的課后習(xí)題都做了，我這里有勾的課后習(xí)題，范圍應(yīng)該不會(huì)跑出去，今年卷子也許是劉士興老師出的，大家反映考的都不是很好，第五章和第八章都是本科上課的時(shí)候不怎么強(qiáng)調(diào)的內(nèi)容。

半導(dǎo)體器件物理
特征頻率，MOS管飽和區(qū)漏極電流不飽和原因，擴(kuò)散電容與勢(shì)壘電容的區(qū)別
（以后還可能考到的：PN結(jié)擊穿機(jī)制，截止頻率）
兩種MOSFET的小尺寸效應(yīng)及對(duì)各種器件的影響
推導(dǎo)Sah方程，驗(yàn)證飽和區(qū)gm和線性區(qū)gd的關(guān)系
在NPN型雙極型晶體管正向有源區(qū)工作時(shí)Ic=qAE等等，不好打exp(qVbe/kT)求βF和提高βF的措施
給出理想N型半導(dǎo)體MOS電容的C-V特性曲線，并分區(qū)進(jìn)行分析。
注：器件物理把以前的真題全部做了，背會(huì)保證ok

想了解復(fù)試的情況，問(wèn)問(wèn)學(xué)長(zhǎng)學(xué)姐就可以了，面試也一般的，分組面試，部分專業(yè)較嚴(yán)，有的專業(yè)較松。大概都是英文自我介紹，中文自我介紹，英文提問(wèn)，微固會(huì)有專業(yè)論文的翻譯，老師會(huì)提問(wèn)一些問(wèn)題，根據(jù)自我介紹，好好準(zhǔn)備自己的畢業(yè)設(shè)計(jì)，這個(gè)很重要，多了解有關(guān)的內(nèi)容。

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復(fù)試辛苦了……

易葉落

樓主辛苦了！祝樓主年年拿第一

xt2010569

錄取結(jié)果已出

晨星12345

請(qǐng)問(wèn)復(fù)試面試時(shí)大概會(huì)問(wèn)哪些方面的專業(yè)方面的問(wèn)題，有沒(méi)有范圍。

xt2010569

晨星12345 發(fā)表于 2014-4-13 16:39
請(qǐng)問(wèn)復(fù)試面試時(shí)大概會(huì)問(wèn)哪些方面的專業(yè)方面的問(wèn)題，有沒(méi)有范圍。

面試分差應(yīng)該不大，主要是復(fù)試的筆試，要拿高分才能上排名，最后的成績(jī)排名是初試成績(jī)+復(fù)試筆試+聽(tīng)力+面試+口語(yǔ)，沒(méi)有權(quán)重，排名靠后的就被刷。150的專業(yè)課筆試，考多少分直接決定能不能上。面試問(wèn)題都不大，一個(gè)院分了4個(gè)組的，面試問(wèn)的側(cè)重也不一樣，專業(yè)問(wèn)題也有，不會(huì)也沒(méi)多大關(guān)系。

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