哈爾濱工業大學2011微電子與固體電子學

雨中奔跑的孩子 · 發表于 2013-10-22 23:34

哈爾濱工業大學2011微電子與固體電子學

考試科目：半導體物理報考專業：微電子學與固體電子學

考試科目代碼：[ 406 ]

考生注意：答案務必寫在答題紙上，并標明題號.答在試題上無效.

題號

一

二

三

四

五

總分

分數

30

150分

解釋下列名詞或概念:

狀態密度 6. 表面復合率

空穴 7. 準費米能級

布里淵區 8. P-N結

陷阱效應 9. 光電導靈敏度

非簡并半導體 10. 光生伏特效應

二.分別化出硅、鍺和砷化鎵的能帶結構、并指出各自的特點

三分析N 型襯底的MOS結構，在不同柵極電壓VG下，半導體表面的電荷層性質，畫出表面勢和空間電荷分布圖

四分別論述雜質對半導體的影響

五、如圖所示，厚度為d（>>file:///C:/Users/ADMINI~1/AppData/Local/Temp/ksohtml/wps_clip_image-6449.png）的無限大的均勻摻雜N型半導體薄片，表面均勻光照（滿足小注入條件），材料的吸收系數為α，載流子擴散系數和壽命分別為Dp和tp。

若光只在極薄層內產生非平衡載流子，對入射光有何要求？設表面非平衡載流子濃度為(ΔP)s試確定ΔP的分布；（15分）

file:///C:/Users/ADMINI~1/AppData/Local/Temp/ksohtml/wps_clip_image-729.png

2、若光在體內均勻吸收非平衡載流子產生率為gp，并在上表面和下表面載流子的符合速度非別為∞和0，試確定非平衡載流子ΔP的分布。（15分）

luojun8678 · 發表于 2013-11-22 00:47

難度果然不小啊

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哈爾濱工業大學2011微電子與固體電子學

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