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哈爾濱工業(yè)大學(xué)2011微電子與固體電子學(xué)

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發(fā)表于 2013-10-22 23:34 | 只看該作者 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
  哈爾濱工業(yè)大學(xué)2011微電子與固體電子學(xué)                           

考試科目:半導(dǎo)體物理                          報(bào)考專業(yè):微電子學(xué)與固體電子學(xué)
考試科目代碼:[ 406 ]

考生注意:答案務(wù)必寫在答題紙上,并標(biāo)明題號(hào).答在試題上無效.
題號(hào)


二  




















總分

分?jǐn)?shù)

30

30

30

30

30

















150分


解釋下列名詞或概念:

狀態(tài)密度                                    6.  表面復(fù)合率

空穴                                        7.  準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)

布里淵區(qū)                                    8.  P-N結(jié)

陷阱效應(yīng)                                    9.  光電導(dǎo)靈敏度                                          

非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體                                10. 光生伏特效應(yīng)

二.分別化出硅、鍺和砷化鎵的能帶結(jié)構(gòu)、并指出各自的特點(diǎn)

三   分析N 型襯底的MOS結(jié)構(gòu),在不同柵極電壓VG下,半導(dǎo)體表面的電荷層性質(zhì),畫出表面勢(shì)和空間電荷分布圖

四 分別論述雜質(zhì)對(duì)半導(dǎo)體的影響

五、如圖所示,厚度為d(>>file:///C:/Users/ADMINI~1/AppData/Local/Temp/ksohtml/wps_clip_image-6449.png)的無限大的均勻摻雜N型半導(dǎo)體薄片,表面均勻光照(滿足小注入條件),材料的吸收系數(shù)為α,載流子擴(kuò)散系數(shù)和壽命分別為Dp和tp。
若光只在極薄層內(nèi)產(chǎn)生非平衡載流子,對(duì)入射光有何要求?設(shè)表面非平衡載流子濃度為(ΔP)s試確定ΔP的分布;(15分)
file:///C:/Users/ADMINI~1/AppData/Local/Temp/ksohtml/wps_clip_image-729.png

2、若光在體內(nèi)均勻吸收非平衡載流子產(chǎn)生率為gp,并在上表面和下表面載流子的符合速度非別為∞和0,試確定非平衡載流子ΔP的分布。(15分)

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發(fā)表于 2013-11-22 00:47 | 只看該作者
難度果然不小啊
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