2017清華微電子832考研真題回憶

湮沫 · 發(fā)表于 2016-12-25 23:47

今年整體來說比較難吧，我個(gè)人覺得難，器件重半導(dǎo)體物理部分，后面的器件基本沒怎么考，模點(diǎn)比以往偏，沒有考差分運(yùn)放，重在運(yùn)算放大器的部分，數(shù)電前面簡單，但是最后一題也比較難。下面詳細(xì)回憶下。
共11道題，前面器件，后模電，最后數(shù)電。
第一道，讓分析半導(dǎo)體的電阻率隨溫度的變化關(guān)系，畫出曲線并分析。
第二道，是半導(dǎo)體物理，告訴導(dǎo)帶底和價(jià)帶頂?shù)哪芰颗c波矢的關(guān)系，求禁帶寬度，空穴和電子的有效質(zhì)量，還有電子從價(jià)帶頂躍遷到導(dǎo)帶底時(shí)的準(zhǔn)動(dòng)量變化。
第三道，是一道計(jì)算擴(kuò)散電流的題，還算簡單，第二問求要使得電流為零所需加的電場強(qiáng)度。
第四道，是mos管電流的計(jì)算，但是最后一問考了速度飽和，寫個(gè)沒復(fù)習(xí)，不知道怎么算。
器件好像就這么幾道其他的想不起來了。
模電具體的題號(hào)我都忘了，只能說說考了那些點(diǎn)，
首先2011年的真題原題又考了，
第五題，有好幾道簡單的問答題，1.問BJT與MOS管的跨導(dǎo)電流比，為什么BTJ要大，2.飽和時(shí)的cmos小型號(hào)等效電路圖，3.讓根據(jù)一個(gè)電路圖設(shè)計(jì)電路，這次應(yīng)該是一個(gè)積分運(yùn)算電路，4. 根據(jù)一個(gè)電路圖分析一個(gè)二極管的導(dǎo)痛還是截止，5.一個(gè)運(yùn)放后面接一個(gè)mos管然后構(gòu)成一個(gè)負(fù)反饋，分別在漏級(jí)和源級(jí)有兩個(gè)輸出電壓，第一問判斷輸出極性和反饋組態(tài)，后面求對(duì)于兩個(gè)輸出電壓的增益。
第六題，是一個(gè)含有三個(gè)運(yùn)算放大器組成的電路，讓求各個(gè)電壓，還有在不同的頻率下的輸出電壓的幅值。這題比較難，分值最大25分，
還有什么我想不起來了，接下來的數(shù)電
1.還是給兩個(gè)二進(jìn)制數(shù)，讓求原碼反碼補(bǔ)碼，求和，
2.根據(jù)給的輸出函數(shù)，用卡洛圖化簡電路圖
3.給一個(gè)觸發(fā)器的時(shí)序圖，讓判斷什么類型的觸發(fā)器，觸發(fā)方式是電平還是脈沖，
4.給了一個(gè)38譯碼器和2位數(shù)據(jù)選擇器求輸出函數(shù)的表達(dá)式，并列出真值表。
5.讓設(shè)計(jì)產(chǎn)生11位序列的序列發(fā)生器。
整體來說今年比去年難了好多，復(fù)習(xí)的重點(diǎn)反而沒考，比如器件的pn結(jié)，mos管的閾值電壓，三極管的計(jì)算都沒考，重點(diǎn)在半導(dǎo)體物理部分，模電和以往也不一樣，沒有簡單mos放大電路，也沒有考差分運(yùn)放，波特圖等，重點(diǎn)是運(yùn)算放大器的計(jì)算。只有數(shù)電和往年差不多，只是最后一題依然做不來。。。
唉，考研也就這樣了，來攢一波人品，只求過線啊

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