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報考電子科大 002 院（示范性微電子學院）微電子學與固體電子學（學碩）和 05 集成電路工程（專碩）這兩個方向的初試專業課科目為 832 微電子器件， 該書最新為第四版，由陳星弼院士等編寫，初試內容主要為前四章，包括微電子理論初步（半物+器件方程）、PN 結、BJT、MOSFET 四部分。 微電子器件這本書難度適中，在 2021 年之前，只要好好復習加上認真總結， 考到 120＋甚至 130+都是可以的；但 2021 年命題形式發生變化，命題思路也較以往不同，所以專業課成績普遍偏低，八九十分的更是不在少數，本人專業課123，在整個報考電子科大 832 的專業課排名為 20 左右，自認為對這本書的復習有獨到的理解，且微電子科班出身，對相關的專業課知識也掌握較好，以下為本人針對題型分類做出的復習建議。 考察形式在 2021 年之前都是填空+簡答+計算，其中簡答為得分關鍵點，計算一般只需熟悉公式，套用公式即可；但在 2021 年的專業課試卷中出現了一些變化，體現在一是不定項選擇題，即給出四個或者五個選項選擇你認為正確的， 這個題最大的難度就是不提示有幾個正確選項，多選少選都是 0 分，且考察范圍也不再局限于微電子器件，其中不乏有半導體物理的知識，比如給出幾種材料問適合做發光材料的有哪些，這便需要知道直接帶隙材料的特點，以及常見的半導體材料的帶隙類型，考查內容日趨綜合，故要求有較強的微電子專業理論知識； 二是計算題的命題特點發生變化，不再是以往的給數據套公式就能解決，而是需要對公式有較深入的理解。以求內建電勢為例進行對比，以往的考題中都是直接給出各種參數，考生只需要代入對應的公式即可求得結果，所以針對之前的真題， 復習方法就是把各個公式都記住直接套即可；但今年的題目要求你會用電場積分的方法求電勢，也就是要熟悉內建電勢的推導過程。所以針對此變化，我們在復習時就不要僅限于記憶公式，而是要對一些重要公式熟悉其來由，以不變應萬變。 第一種題型是填空題，應注意一些小點，抓細節，書上所提到的任何可以挖空出填空的地方，都應該有選擇性的形成自己的總結，這不僅要求讀書要細，也要求你得有一定的基本功，要會挖掘出題點；縱觀歷年真題，第一章命題點大多以填空形式出現，常見的出題形式有：寫出半導體器件方程的表達形式或者解釋方程的物理意義。在之后的章節中，填空命題體現出隨機性，對此需要總結高頻的考點，且要會分辨哪些內容適合作為填空題考察，進行針對性的復習。 今年新增了不定項選擇題，可以看到電子科大命題方式發生了變化，更加注重學生專業綜合能力的考察，這也為 2022 考研復習指出了方向，對于本科期間專業知識掌握不是很牢固甚至跨考的學生都是一個很大的挑戰，所以需要對半導體物理、集成電路工藝等相關專業課有一個宏觀的把握，挖掘出題點，當然考查內容不會很深，都是基本的專業重點知識。 針對簡答題，這一直是初試內容的重點，既是最大的得分點，也是最大的失分點，應好好把握。主要考察內容為書上的一些定律、效應，當然不至于效應本身，也可能會有相應的拓展。這部分內容要想拿高分，首先要對定理內容充分理解形成自己的知識體系，再者就是總結，總結內容不局限于定理內容，還有一些效應之間的相互聯系、對比。相信隨著出題方式的靈活化，簡答題中也是可以玩出花樣的。簡答題也有可能出現其他的專業課知識，如不久之前的年份里就出現了自對準工藝相關知識的考察。此外簡答題中可能出現畫圖題，且基本每年都會涉及，常見的有能帶圖、少子分布圖等，需要總結可能出現的畫圖類型，并對圖形有深入理解。本人在復習過程中針對這一大塊知識，都逐一進行了總結，最后提煉出了二十道最可能考的簡答題，在今年的考試中八道簡答押中了三道，其他五道題也在筆記中都有相應涉及。所以可見形成自己完善的知識結構加總結的重要性。 最后就是計算題，在以往考察中這一部分內容固定，基本就是套公式，直接就出結果；但在今年的考察中三個計算題只有一個延續了這種傳統，另外兩個都要求對公式有深入的理解，甚至會推導出，打了今年的考生一個措手不及，當然也包括本人。具體應對方法本人在上文中已經提到，希望對各位能有所啟迪。 以上就是本人關于微電子器件這門專業課的初試指導意見，希望各位學弟學妹讀后能夠有所收獲！ 最后也歡迎各位留言你們的問題，我將知無不言。
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發表于 2021-4-7 09:48
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