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[資料] 2019清華微電子832真題回憶

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發表于 2019-1-4 16:15 來自手機 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
考完試之后出去旅游了一趟,趁著還沒忘真題,趕緊來這里寫一寫,供學弟學妹參考一下,2019年的832考題可以說是近十年來最簡單的一次,真題重復率很高,沒有偏題怪題。總體考察半導體物理器件,模電,數電三門課程,各占50分,今年一共有8道題目。
第一題是考察pn結電流(20分)求正向電流1毫安時的外加電壓,在2010,2015年考察過此原題。第二題是場效應管Id電流相關(30分)分為4問,第一問是求w,第二問求飽和狀態下的Id,第三問求非飽和狀態下的Id,第四問求考慮飽和速度下的Id和溝道中最大電場,在2011-2018每年都考察過這道題。以上是半導體物理器件的50分,相比17年和18年瘋狂考察半導體物理的知識,今年出題的老師簡直宅心仁厚。第三題是模電的基礎填空題(17分)有自激振蕩條件,負反饋組態,濾波器選用,BJT三種組態等,題目幾乎和2010和2016年差不多。第四題是一道基礎共源放大題(13分)第一問求兩個場效應管工作在什么區,第二問求輸出阻抗,帶寬增益積,輸入阻抗等,這道題跟2016年的那道模電題有相似之處。第五題是運放計算題(20分)第一問簡答理想運放的參數指標,第二問計算電壓表達式,第三問忽略一個電阻變為積分電路,第四問求電壓。此題在2015和2017年考察過,稍有變化。以上是模電的三道題,主要考察mos管放大和運放計算,2019年數電變化稍微大一點,摒棄以前傳統的數制碼制+卡洛圖+門電路畫圖,變為了第六題(25分)簡答題,問到了競爭冒險的產生,用4個與非門設計異或門,格雷碼和8421轉換,FPGA的中文解釋和它含有的單元等。第七題是傳統的施密特觸發器題(10分)求正向反向的閾值電壓,想必大家都爛熟于心。第八題是邏輯時序電路的分析(15分)基本的計數器分析,注意要把非循環狀態考慮進來,在2010,2013,2015和2018都考察過類似問題。以上是數電內容,也不難,估計今年832會有很多120+的選手,我等只能聽天由命了,為這場考試準備了小半年,我看到清華的考研的神秘性,幾乎沒有信息來源,前幾年的報考人數,錄取情況都沒有明確的公布,真題也是花了好幾個月拼拼湊湊弄到的,不以成敗論英雄,初試到此結束了,坐等2月中旬出結果吧~~~~~一只坐在工作室喝咖啡的大四狗。

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    發表于 2019-1-4 22:19 來自手機 | 只看該作者
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    發表于 2019-1-4 23:10 來自手機 | 只看該作者
    看樣子今年集成電路工程分數線要漲了?心慌

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    發表于 2019-1-4 23:11 來自手機 | 只看該作者
    看樣子今年集成電路工程分數線要漲了?心慌

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     樓主| 發表于 2019-1-4 23:38 來自手機 | 只看該作者
    靜靜qh42 發表于 2019-1-4 23:11
    看樣子今年集成電路工程分數線要漲了?心慌

    不會漲太多的,跟學校工程線應該是一致的,頂多平2017年的330,極大可能還是320的線

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    發表于 2019-1-14 15:10 | 只看該作者
    感謝親親的分享哦,希望你能在2月15查到理想的分數呢,六月再來考研幫曬錄取通知書哦~~
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    發表于 2019-1-14 16:34 來自手機 | 只看該作者
    良心啊 學長 給你鞠個躬

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    發表于 2019-1-17 23:00 來自手機 | 只看該作者
    學長,20考研的,求往年真題,謝謝。

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     樓主| 發表于 2019-1-18 09:06 來自手機 | 只看該作者
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    發表于 2019-1-18 15:18 來自手機 | 只看該作者
    學長學長,哪里可以找到真題~20考

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