“殘缺的”微電子設計試題回憶

qiushichu

專業課復習地不好，考砸了，現在把還記得的題目回憶一下，雖然回憶不全，有的也不準確，但大家可以參考其他版本的回憶，我相信，多個模糊的回憶會互補為一個清晰的回憶。
一、模擬電路部分
1、（10%）兩級放大電路，引入了負反饋，第一級為共射（NPN型），第二級組態共射還是共集忘了（管子類型也忘了），反饋電阻接在V0與第一級射集之間，其他的都記不清了。
a）判斷反饋類型
b）求輸入電阻，輸出電阻，和電壓放大倍數
2、（20%）給出一個共柵放大電路，管子為增強型n溝道管，注意管子的表示方法與模集書上的表示法同，與模電書上的不同，柵極接一直流電壓Vb，源級接一電阻和輸入電壓信號，輸入信號和電阻以“并聯”形式接入，漏極通過一電阻接到Vdd。
此題有點像模集書上共柵部分的例題
a) 記不清了，好像是要求電壓放大倍數
b)求輸入電阻，并討論輸入電阻和漏極所接電阻的關系
3、（20%）一個濾波電路，和童書上的例題差不多
a）求傳遞函數H（s）
b）判斷它是帶通，帶阻還是其他？若是帶通求上下截止頻率，若是帶阻或其他，求什么頻率忘了
二，數字電路部分
1、（20%）給定一個全加器和四選一數據選擇器（有圖）
a）用最簡或與形式實現全加器功能，畫出電路圖
b）給定四個（個數不確定）全加器和若干個上述選擇器，兩個四位二進制數A3A2A1A0和D3D2D1D0，高位均在最左邊，實現以下功能，畫出電路圖
M1M2=00時，前一個數加后一個數
M1M2=01時，前一個數減后一個數
M1M2=10時，對第二個數的各位求反
M1M2=11時，用第一個數的第四位異或第二個數的第四位，以此類推，第三位，二位，一位，各位對應相異或
2、（22%）給定D,JK,SR,T觸發器各一個，給出狀態轉換波形圖，實現十二進制計數器（未說明是否要求自啟動），要求畫出電路圖。注意,波形從0001開始，按依次加一規律變化，可加到某一狀態時（此狀態記不清了），下一個狀態突然“跳轉”（也就是說沒加一）到另一狀態（此狀態忘了，大家可以推一推），然后從此狀態開始又按每次加一的規律變化，直到0001。
3、（8%）好像要用某種觸發器實現某進制減法器，記不清了
三、集成電路部分
1、（10%）
a）簡述模擬集成電路設計和數字集成電路設計的特點和區別（說法差不多）
b）簡述靜態CMOS和動態邏輯的優缺點（說法差不多）
2、（20%）給定一靜態邏輯，有電路圖，功能為A加B括號再與C，最后取反，功能和電路結構很簡單，A在上拉中緊接電源，下拉中位置忘了，B，C位置也記不清了
a）寫出電路的邏輯功能
b）畫出版圖（差不多）
c）規劃器件尺寸，使其延時特性和尺寸比為2/1的反相器相同
d）修改設計，使A輸入最快（好像是這樣）
3、（20%）一個設計題，給出了相關指標和電路圖，電路結構為以鏡像電流源做負載的差放，源極的偏置電流用一mos管實現，輸出和地之間接一電容。題讀不懂，其他細節忘了。

笑笑小

感謝分享，坐等樓主好消息！

qinsi999

模擬電路第三題是一個二階帶通濾波器，需要求傳遞函數，上下線頻率，中心頻率，帶寬

數電第三道是用3個JK觸發器設計異步計數器，并且要畫出考慮延時的波形圖

集成電路最后二題電路圖是，1、ABC的NMOS管并聯后于D的NMOS串聯  2、ABC的PMOS管串聯后與D的PMOS管并聯 3、上面說的1,2兩部分電路在串聯。

集成電路最后一題是，N管輸入電流源負載單級差分放大電路，并且帶負載電容，VDD=3V。設計一個功耗小于等于0.6mW，帶寬為100K/HZ，最小輸入共模電壓為1.3V，最大輸入共模電壓為2.8V，還有增益（忘記是多少了），1、設計各管子的尺寸，2、驗證是否滿足增益和帶寬要求。

每道題的電路圖都記得，以后有時間和心情再畫出來補充吧

PD-LF-VCO

模電第一題第二級也為共射（pnp型），第2小問告訴在深度負反饋的條件下。

瀚海滄瀾

最后一題增益是要求大于三十，

理由好

微電子方向可以在淘寶上找到半導體物理和半導體器件原理的專業課視頻

qinsi999

icembed_xy 發表于 2012-1-15 20:42
那你的聯系方式是什么？

tensea888@163.com

icembed_xy

qinsi999 發表于 2012-1-15 20:48

嘿嘿，記下啦{:soso_e112:}

447425942

師兄，求資料啊，我也想考這個啊，謝謝啊，447425942@qq.com

gongtenglily819

支持，謝謝分享