大連理工微電子與固體物理學(xué)2011半導(dǎo)體試題（考場(chǎng)記錄版）

浮生數(shù)夢(mèng) · 發(fā)表于 2011-2-25 20:37

一名詞解釋

1.雜質(zhì)補(bǔ)償

2.半導(dǎo)體電子運(yùn)動(dòng)特點(diǎn)

3.三維晶體總共有M個(gè)原子，三個(gè)原子組成一個(gè)原胞，求格波數(shù)量

4.非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體

5.線缺陷類型

6.遷移率

7.物理PN結(jié)

8.間接復(fù)合

9.SI半導(dǎo)體，Na=10 17次方 Na=10 18次方
比較它們兩個(gè)W

二.看圖作答

圖跟08的圖一樣題目也類似更加簡(jiǎn)單點(diǎn)

三.簡(jiǎn)答題

1 P型半導(dǎo)體的R與T溫度關(guān)系
2輕重空穴，兩個(gè)的質(zhì)量分別為0.5M0
0.1M0
求它們的比例（唔，這題我沒(méi)做出來(lái)，十分沒(méi)了）四.EK=ACOSKA
求禁帶寬度，畫出與K的關(guān)系圖神馬的，這題很常見(jiàn)，各類書上都有。比平常的書上多了一個(gè)小題，求的是平均能帶數(shù)五作圖題
1.金半接觸（作圖，簡(jiǎn)答）

2MOS結(jié)構(gòu)在發(fā)生反型時(shí)的能帶圖
P型六.以前的真題有，求NO,PO 很簡(jiǎn)單

總的就是以上這些了總結(jié)下：今年的題目還是蠻簡(jiǎn)單的，雖然有10分的題目是真的不會(huì)做的我45分鐘左右就做完了。。唔，每道題的分?jǐn)?shù)都很多，一不小心就錯(cuò)了好幾十分。。快出分了，把它發(fā)上來(lái)，攢點(diǎn)人品，希望我做出來(lái)的全對(duì)。哈哈

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