22 電子科技大學(xué) 832微電子器件 考研經(jīng)驗(yàn)分享

小魚(yú)老師考研

報(bào)考電子科大 002 院（示范性微電子學(xué)院）微電子學(xué)與固體電子學(xué)（學(xué)碩）和 05 集成電路工程（專(zhuān)碩）這兩個(gè)方向的初試專(zhuān)業(yè)課科目為 832 微電子器件， 該書(shū)最新為第四版，由陳星弼院士等編寫(xiě)，初試內(nèi)容主要為前四章，包括微電子理論初步（半物+器件方程）、PN 結(jié)、BJT、MOSFET 四部分。

微電子器件這本書(shū)難度適中，在 2021 年之前，只要好好復(fù)習(xí)加上認(rèn)真總結(jié)， 考到 120＋甚至 130+都是可以的；但 2021 年命題形式發(fā)生變化，命題思路也較以往不同，所以專(zhuān)業(yè)課成績(jī)普遍偏低，八九十分的更是不在少數(shù)，本人專(zhuān)業(yè)課123，在整個(gè)報(bào)考電子科大 832 的專(zhuān)業(yè)課排名為 20 左右，自認(rèn)為對(duì)這本書(shū)的復(fù)習(xí)有獨(dú)到的理解，且微電子科班出身，對(duì)相關(guān)的專(zhuān)業(yè)課知識(shí)也掌握較好，以下為本人針對(duì)題型分類(lèi)做出的復(fù)習(xí)建議。

考察形式在 2021 年之前都是填空+簡(jiǎn)答+計(jì)算，其中簡(jiǎn)答為得分關(guān)鍵點(diǎn)，計(jì)算一般只需熟悉公式，套用公式即可；但在 2021 年的專(zhuān)業(yè)課試卷中出現(xiàn)了一些變化，體現(xiàn)在一是不定項(xiàng)選擇題，即給出四個(gè)或者五個(gè)選項(xiàng)選擇你認(rèn)為正確的， 這個(gè)題最大的難度就是不提示有幾個(gè)正確選項(xiàng)，多選少選都是 0 分，且考察范圍也不再局限于微電子器件，其中不乏有半導(dǎo)體物理的知識(shí)，比如給出幾種材料問(wèn)適合做發(fā)光材料的有哪些，這便需要知道直接帶隙材料的特點(diǎn)，以及常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料的帶隙類(lèi)型，考查內(nèi)容日趨綜合，故要求有較強(qiáng)的微電子專(zhuān)業(yè)理論知識(shí)； 二是計(jì)算題的命題特點(diǎn)發(fā)生變化，不再是以往的給數(shù)據(jù)套公式就能解決，而是需要對(duì)公式有較深入的理解。以求內(nèi)建電勢(shì)為例進(jìn)行對(duì)比，以往的考題中都是直接給出各種參數(shù)，考生只需要代入對(duì)應(yīng)的公式即可求得結(jié)果，所以針對(duì)之前的真題， 復(fù)習(xí)方法就是把各個(gè)公式都記住直接套即可；但今年的題目要求你會(huì)用電場(chǎng)積分的方法求電勢(shì)，也就是要熟悉內(nèi)建電勢(shì)的推導(dǎo)過(guò)程。所以針對(duì)此變化，我們?cè)趶?fù)習(xí)時(shí)就不要僅限于記憶公式，而是要對(duì)一些重要公式熟悉其來(lái)由，以不變應(yīng)萬(wàn)變。

第一種題型是填空題，應(yīng)注意一些小點(diǎn)，抓細(xì)節(jié)，書(shū)上所提到的任何可以挖空出填空的地方，都應(yīng)該有選擇性的形成自己的總結(jié)，這不僅要求讀書(shū)要細(xì)，也要求你得有一定的基本功，要會(huì)挖掘出題點(diǎn)；縱觀歷年真題，第一章命題點(diǎn)大多以填空形式出現(xiàn)，常見(jiàn)的出題形式有：寫(xiě)出半導(dǎo)體器件方程的表達(dá)形式或者解釋方程的物理意義。在之后的章節(jié)中，填空命題體現(xiàn)出隨機(jī)性，對(duì)此需要總結(jié)高頻的考點(diǎn)，且要會(huì)分辨哪些內(nèi)容適合作為填空題考察，進(jìn)行針對(duì)性的復(fù)習(xí)。

今年新增了不定項(xiàng)選擇題，可以看到電子科大命題方式發(fā)生了變化，更加注重學(xué)生專(zhuān)業(yè)綜合能力的考察，這也為 2022 考研復(fù)習(xí)指出了方向，對(duì)于本科期間專(zhuān)業(yè)知識(shí)掌握不是很牢固甚至跨考的學(xué)生都是一個(gè)很大的挑戰(zhàn)，所以需要對(duì)半導(dǎo)體物理、集成電路工藝等相關(guān)專(zhuān)業(yè)課有一個(gè)宏觀的把握，挖掘出題點(diǎn)，當(dāng)然考查內(nèi)容不會(huì)很深，都是基本的專(zhuān)業(yè)重點(diǎn)知識(shí)。

針對(duì)簡(jiǎn)答題，這一直是初試內(nèi)容的重點(diǎn)，既是最大的得分點(diǎn)，也是最大的失分點(diǎn)，應(yīng)好好把握。主要考察內(nèi)容為書(shū)上的一些定律、效應(yīng)，當(dāng)然不至于效應(yīng)本身，也可能會(huì)有相應(yīng)的拓展。這部分內(nèi)容要想拿高分，首先要對(duì)定理內(nèi)容充分理解形成自己的知識(shí)體系，再者就是總結(jié)，總結(jié)內(nèi)容不局限于定理內(nèi)容，還有一些效應(yīng)之間的相互聯(lián)系、對(duì)比。相信隨著出題方式的靈活化，簡(jiǎn)答題中也是可以玩出花樣的。簡(jiǎn)答題也有可能出現(xiàn)其他的專(zhuān)業(yè)課知識(shí)，如不久之前的年份里就出現(xiàn)了自對(duì)準(zhǔn)工藝相關(guān)知識(shí)的考察。此外簡(jiǎn)答題中可能出現(xiàn)畫(huà)圖題，且基本每年都會(huì)涉及，常見(jiàn)的有能帶圖、少子分布圖等，需要總結(jié)可能出現(xiàn)的畫(huà)圖類(lèi)型，并對(duì)圖形有深入理解。本人在復(fù)習(xí)過(guò)程中針對(duì)這一大塊知識(shí)，都逐一進(jìn)行了總結(jié)，最后提煉出了二十道最可能考的簡(jiǎn)答題，在今年的考試中八道簡(jiǎn)答押中了三道，其他五道題也在筆記中都有相應(yīng)涉及。所以可見(jiàn)形成自己完善的知識(shí)結(jié)構(gòu)加總結(jié)的重要性。

最后就是計(jì)算題，在以往考察中這一部分內(nèi)容固定，基本就是套公式，直接就出結(jié)果；但在今年的考察中三個(gè)計(jì)算題只有一個(gè)延續(xù)了這種傳統(tǒng)，另外兩個(gè)都要求對(duì)公式有深入的理解，甚至?xí)茖?dǎo)出，打了今年的考生一個(gè)措手不及，當(dāng)然也包括本人。具體應(yīng)對(duì)方法本人在上文中已經(jīng)提到，希望對(duì)各位能有所啟迪。

以上就是本人關(guān)于微電子器件這門(mén)專(zhuān)業(yè)課的初試指導(dǎo)意見(jiàn)，希望各位學(xué)弟學(xué)妹讀后能夠有所收獲！

最后也歡迎各位留言你們的問(wèn)題，我將知無(wú)不言。

小魚(yú)老師考研

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