2017清華微電子832考研真題回憶

湮沫 · 發表于 2016-12-25 23:47

今年整體來說比較難吧，我個人覺得難，器件重半導體物理部分，后面的器件基本沒怎么考，模點比以往偏，沒有考差分運放，重在運算放大器的部分，數電前面簡單，但是最后一題也比較難。下面詳細回憶下。
共11道題，前面器件，后模電，最后數電。
第一道，讓分析半導體的電阻率隨溫度的變化關系，畫出曲線并分析。
第二道，是半導體物理，告訴導帶底和價帶頂的能量與波矢的關系，求禁帶寬度，空穴和電子的有效質量，還有電子從價帶頂躍遷到導帶底時的準動量變化。
第三道，是一道計算擴散電流的題，還算簡單，第二問求要使得電流為零所需加的電場強度。
第四道，是mos管電流的計算，但是最后一問考了速度飽和，寫個沒復習，不知道怎么算。
器件好像就這么幾道其他的想不起來了。
模電具體的題號我都忘了，只能說說考了那些點，
首先2011年的真題原題又考了，
第五題，有好幾道簡單的問答題，1.問BJT與MOS管的跨導電流比，為什么BTJ要大，2.飽和時的cmos小型號等效電路圖，3.讓根據一個電路圖設計電路，這次應該是一個積分運算電路，4. 根據一個電路圖分析一個二極管的導痛還是截止，5.一個運放后面接一個mos管然后構成一個負反饋，分別在漏級和源級有兩個輸出電壓，第一問判斷輸出極性和反饋組態，后面求對于兩個輸出電壓的增益。
第六題，是一個含有三個運算放大器組成的電路，讓求各個電壓，還有在不同的頻率下的輸出電壓的幅值。這題比較難，分值最大25分，
還有什么我想不起來了，接下來的數電
1.還是給兩個二進制數，讓求原碼反碼補碼，求和，
2.根據給的輸出函數，用卡洛圖化簡電路圖
3.給一個觸發器的時序圖，讓判斷什么類型的觸發器，觸發方式是電平還是脈沖，
4.給了一個38譯碼器和2位數據選擇器求輸出函數的表達式，并列出真值表。
5.讓設計產生11位序列的序列發生器。
整體來說今年比去年難了好多，復習的重點反而沒考，比如器件的pn結，mos管的閾值電壓，三極管的計算都沒考，重點在半導體物理部分，模電和以往也不一樣，沒有簡單mos放大電路，也沒有考差分運放，波特圖等，重點是運算放大器的計算。只有數電和往年差不多，只是最后一題依然做不來。。。
唉，考研也就這樣了，來攢一波人品，只求過線啊

來自Android客戶端