大連理工微電子與固體物理學2011半導體試題（考場記錄版）

浮生數夢

一 名詞解釋

  1.雜質補償

  2.半導體電子運動特點

  3.三維晶體總共有M個原子，三個原子組成一個原胞，求格波數量

  4.非簡并半導體

  5.線缺陷類型

  6.遷移率

  7.物理PN結

  8.間接復合

  9.SI半導體，Na=10 17次方 Na=10 18次方
比較它們兩個W

二.看圖作答

圖跟08的圖一樣  題目也類似  更加簡單點

三.簡答題

1 P型半導體的R與T溫度關系
2輕重空穴，兩個的質量分別為0.5M0
0.1M0
求它們的比例（唔，這題我沒做出來，十分沒了）四.EK=ACOSKA
   求禁帶寬度，畫出與K的關系圖神馬的，這題很常見，各類書上都有。比平常的書上多了一個小題，求的是平均能帶數五作圖題
   1.金半接觸（作圖，簡答）

2MOS結構在發生反型時的能帶圖
P型六.以前的真題有，求NO,PO  很簡單

總的就是以上這些了  總結下：今年的題目還是蠻簡單的，雖然有10分的題目是真的不會做的我45分鐘左右就做完了。。唔，每道題的分數都很多，一不小心就錯了好幾十分 。。快出分了，把它發上來，攢點人品，希望我做出來的全對。哈哈

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danglang

好吧。你很牛叉。

dan!!!

問一下LZ，知道大連理工的錄取線一般是多少？還有它排外嚴重嗎？我是2012考研的，也想考

dan!!!

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謝謝啦，祝愿你能夠順利通過！！!

17891636

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你是2011的考生？記得這么準

浮生數夢

17891636 發表于 2011-6-17 13:56
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你是2011的考生？記得這么準

考試的時候用準考證抄出來的.{:3_115:}