2018年北京大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)真題回憶（909）

木手繪青云

寫在前面：
    本人辭職考研黨，復(fù)習(xí)時(shí)間不是很充裕。考完的感覺就是專業(yè)課本身不難，歷年的試題重復(fù)率很高，但對基礎(chǔ)的要求也很高。建議多看課本，對里面的推導(dǎo)要熟。推倒時(shí)對p型和n型半導(dǎo)體都要熟悉。
    考完數(shù)學(xué)爆炸，專業(yè)課雖然都回答了出來但是能不能過線還是未知，來攢個(gè)人品。希望能對大家有幫助。
    言歸正傳，下面是我能記得的題，建議結(jié)合歷年真題一起看，可能有疏漏或錯(cuò)誤，僅供參考，還請諒解。

一、名詞解釋
受主、雪崩擊穿、異質(zhì)結(jié)、費(fèi)米釘扎（還有兩個(gè)記不清了，歷年真題中可以找到）

二、半導(dǎo)體A、B的電導(dǎo)率-溫度曲線如下
1.說明A、B半導(dǎo)體的類型，并說明原因
2.A、B分別產(chǎn)生如下曲線的機(jī)制是什么

三、題干給出了兩種材料（n型Eg較窄，p型Eg較寬）的能帶圖，畫出這兩種材料形成異質(zhì)結(jié)后在如下情形的能帶圖
1.無外加偏壓
2.施加反向偏壓Va

四、p-mos管（n型襯底）中，Wm<Ws，SiO2層厚度及介電常數(shù)已知，
SiO2層中存在以密度為常數(shù)ρ的電荷分布
1.寫出平帶電壓表達(dá)式
2.畫出平帶時(shí)的能帶圖

五、PN結(jié)P型區(qū)及N型區(qū)均均勻摻雜，濃度為Na，Nd
1.算出施加正向偏壓Va時(shí)p區(qū)邊界少子濃度
2.畫出正偏時(shí)I-V曲線
3. Na，Nd很小時(shí)，I-V曲線與理想曲線有什么區(qū)別

六、同時(shí)在Si中摻入Na，Nd，Na>Nd
1.寫出電荷守恒表達(dá)式
2.寫出低溫區(qū)Ef與T的關(guān)系
3.示意在能帶圖中畫出Ef隨T的變化曲線

來源: 2018北大半導(dǎo)體物理（909）考題回憶（供參考）

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dsguan

樓主手上的真題是幾幾年到幾幾年的

木手繪青云

Tyrion7 發(fā)表于 2017-12-29 20:10
你好 請問歷年真題出嗎？[好吃]

可以啊，我手上有電子版，您要嗎

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Tyrion7

你好 請問歷年真題出嗎？[好吃]

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木手繪青云

這個(gè)貼子好像重復(fù)了，怎么刪帖啊。。。。