關(guān)于今年ASIC的情況

ASIC10

5號(hào)下午2點(diǎn)半出了面試結(jié)果，很幸運(yùn)，我被ASIC錄取了，回想復(fù)試期間很多的信息得益于考研論壇，為了讓下一屆的學(xué)弟學(xué)妹能夠?qū)@邊更加了解，所以我準(zhǔn)備寫(xiě)一寫(xiě)自己的看法，如果能幫助大家，我將很開(kāi)心了????
  今年ASIC和MEMS都是347分，英語(yǔ)今年劃線45，創(chuàng)歷史新低，主要是因?yàn)榻衲暧⒄Z(yǔ)很難，至少在考場(chǎng)上會(huì)讓你頭暈，如果有人說(shuō)不難，去看看哪些輔導(dǎo)班剛考完時(shí)候給的答案吧，如果我沒(méi)有記錯(cuò)，那個(gè)什么HW英語(yǔ)答案至少錯(cuò)了5個(gè)，當(dāng)然這些輔導(dǎo)班后來(lái)都在不斷改答案?????貌似最后**的答案最準(zhǔn)，只錯(cuò)了一個(gè)，去年他貌似全對(duì)，厲害???
  如果你決定考ASIC，你就要有心理準(zhǔn)備，除非你考到390+一般不可能刷掉，今年認(rèn)識(shí)兩個(gè)國(guó)內(nèi)挺牛的大學(xué)的兩個(gè)同學(xué)，一個(gè)370+，一個(gè)390+，最后370+很不幸被淘汰，390+的那個(gè)復(fù)試后名次在后面倒數(shù)了????主要是復(fù)試筆試數(shù)模電把大家考倒了，平均分好像不足80，很多人都是在80分左右（未規(guī)格化之前），所以真的很難，如果你初試成績(jī)不足370.復(fù)試筆試成績(jī)不到平均分，那么你被刷掉的可能性基本為百分之百。
  從今年錄取結(jié)果來(lái)看，今年比去年稍微好一點(diǎn)，因?yàn)閾?jù)師兄說(shuō)去年最低也得369，今年我知道的360到370之間的就有三個(gè)，我知道的最低分360.而且那個(gè)360多的名次還排在前面，不過(guò)貌似是本校的，復(fù)試表現(xiàn)，只是聽(tīng)說(shuō)而已，總的來(lái)說(shuō)，這邊真的很公平，基本英雄不論出處，只要你初試分不錯(cuò)，復(fù)試表現(xiàn)還可以，沒(méi)有什么黑幕，很透明很透明，所以大家放心???
  初試分?jǐn)?shù)還是很重要的，最終錄取的結(jié)果，380以上今年貌似沒(méi)有刷人，可見(jiàn)，初試分高還是有一點(diǎn)優(yōu)勢(shì)的，不過(guò)，這個(gè)不絕對(duì)，前面說(shuō)的那個(gè)名校出身的390+的哥們，面試時(shí)候已經(jīng)被老師叫做好心理準(zhǔn)備了，雖然最終錄取了，但是這邊有過(guò)刷掉高分的歷史，而且貌似還是398分，上海一個(gè)名牌大學(xué)出身的????所以不可以放松，如果初試分?jǐn)?shù)不錯(cuò)，抓緊時(shí)間準(zhǔn)備數(shù)模電，不能懈怠，否則到時(shí)候被刷掉就開(kāi)始后悔了?????
  初試的半導(dǎo)體物理我個(gè)人覺(jué)得很簡(jiǎn)單，把書(shū)認(rèn)認(rèn)真真看6遍，130左右問(wèn)題不大，但是不用心看，不用心理解的就不好說(shuō)了，今年的側(cè)重點(diǎn)不是第三章，而是第二和第六章貌似，大家可以去考研論壇資料下載區(qū)看看，有好心人回憶的試題，我看了，基本就那么些了，很珍貴的資料????
  今年復(fù)試數(shù)模電題真的很難，把大家都考懵了，主要是數(shù)電部分，和大家的復(fù)習(xí)重點(diǎn)不一樣，我們認(rèn)為數(shù)電比較重要的地方比如觸發(fā)器，編碼器，譯碼器，數(shù)據(jù)選擇器，設(shè)計(jì)時(shí)序邏輯電路，555電路運(yùn)用等等????可是今年狂考CMOS的參數(shù)計(jì)算，汗????據(jù)說(shuō)這些內(nèi)容在VLSIC上面有介紹，大家可以去看看，不知道明年會(huì)考什么????還有，大家要記住譬如非門(mén)，與非門(mén)，與門(mén)等等的國(guó)際符號(hào)，今年考的都是用的國(guó)際符號(hào)，我差點(diǎn)沒(méi)分清????還有延遲時(shí)間這一部分要好好看看，今年重點(diǎn)考察，大家都一塌糊涂?????數(shù)電今年的編程題是用VHDL或者VERILOG語(yǔ)言編一個(gè)十進(jìn)制計(jì)數(shù)器，這個(gè)還是比較簡(jiǎn)單的，去年考的編3-8譯碼器貌似?????模電題比較簡(jiǎn)單，叫你設(shè)計(jì)一個(gè)振蕩頻率為f=1/2π*1Khz的正弦波振蕩電路，后來(lái)叫你將其變?yōu)槿遣ǎㄟ@個(gè)我設(shè)計(jì)的是先通過(guò)施密特觸發(fā)器變成方波，再通過(guò)積分電路變成三角波），后面一題是給你電感三點(diǎn)式和電容三點(diǎn)式振蕩電路，叫你判斷哪個(gè)輸出波形穩(wěn)定，這個(gè)書(shū)上有，回去好好看看????還有一題是差分放大電路，叫你判斷線怎么接是電壓串聯(lián)負(fù)反饋，很簡(jiǎn)單，后面的放大倍數(shù)計(jì)算記得考慮深度負(fù)反饋????還有一個(gè)題，問(wèn)你什么叫頻率補(bǔ)償，負(fù)反饋?zhàn)兂勺约る娐返膶?shí)質(zhì)是什么，條件是什么等等?????最后一題是一個(gè)模電證明題，很簡(jiǎn)單，只要能把小信號(hào)等效電路畫(huà)出來(lái)，就問(wèn)題不大了???
  最后說(shuō)說(shuō)面試，面試時(shí)候先是5分鐘自我介紹（一般兩分鐘到三分鐘搞定），然后老師會(huì)問(wèn)你哪門(mén)學(xué)的好，如果你選擇數(shù)模電，老師今年問(wèn)的主要是：數(shù)字電路和模擬電路的區(qū)別，從深度去理解；怎么改變MOS管的跨導(dǎo)；MOS管和BJT的區(qū)別；MOS管的靜電效應(yīng)怎么回事；怎么提高BJT的響應(yīng)速度（加鉗位電壓，用肖特基二極管構(gòu)成）；微機(jī)原理喜歡問(wèn)中斷，單片機(jī)問(wèn)你有幾個(gè)模塊組成???就記得這么多了??

  還有，最好本專(zhuān)業(yè)的專(zhuān)業(yè)課知識(shí)知道一點(diǎn)，不能一問(wèn)三不知，我今年就是被問(wèn)了本專(zhuān)業(yè)的知識(shí)，我忘的差不多了，結(jié)果被鄙視了?????
  最后，祝大家都能如愿以?xún)敚瑘A夢(mèng)東南???????

luzhongrong123

學(xué)長(zhǎng)，太牛了你，我準(zhǔn)備2011年考東大的微電子，需要你幫忙，*一下我嗎？謝謝！

wanglei3208

呵呵 樓主寫(xiě)的很不錯(cuò)啊！我今年也考上了，初試是377，不過(guò)復(fù)試感覺(jué)考得還好，最后被錄取了。感覺(jué)復(fù)試蠻重要的，一定要好好準(zhǔn)備！

seuyg

原帖由 羊角123 于 2010-4-9 10:05 發(fā)表
挺詳細(xì)。補(bǔ)充一點(diǎn)，由于去年雷恩班報(bào)的人少，今年競(jìng)爭(zhēng)異常激烈，370+的人都有報(bào)，當(dāng)然也刷了一大批人。不知道明年是什么情況。
注：雷恩班除了多交8000元人民幣外，其他都很好，拿兩個(gè)學(xué)位，還有外教來(lái)上課。 ...

是啊,雷恩的競(jìng)爭(zhēng)是相當(dāng)相當(dāng)?shù)募ち?原以為和去年一樣不會(huì)放那么多人進(jìn)復(fù)式的,結(jié)果30多進(jìn)復(fù)式去十五,還好最后被錄取了,不然就虧大了

xuzhe1989

呵呵，太感謝了

ASIC10

*

xuzhe1989

嗯，很仔細(xì)的看了一遍，好像樓上回帖的都是成功人士啊，太謝謝樓主了，我準(zhǔn)備報(bào)明年的ASIC，不知能不能*幫我一把？

hf云影波心

我也很榮幸和你做同學(xué)，下學(xué)期東南見(jiàn)了，哈哈...

ASIC10

謝謝夸獎(jiǎng)！大多數(shù)人都是光看不回啊，興致受打擊了，本來(lái)還想多補(bǔ)充點(diǎn)的，嘿嘿····很榮幸和你做校友！！！

hf云影波心

我也是ASIC的，能進(jìn)感覺(jué)還不錯(cuò)。樓主寫(xiě)的很好，非常有感覺(jué)，覺(jué)得樓主正的很用心，贊！！！
看來(lái)我要把這個(gè)帖轉(zhuǎn)給我的學(xué)弟們看了！嘿嘿...