2018上交874半導(dǎo)體真題回憶

堂吉訶徳先生 · 發(fā)表于 2018-1-3 18:30

時間過得是真的很快~ 突然就變成自己是學(xué)長來這里分享回憶真題了 ~大家知道上交是不提供真題的~ 所以希望這份回憶版未來對你們能有所幫助~
考完之后像丟了魂一樣 ~ 今年的考研情況想必大家也都很清楚（此處就不想吐槽了）~
樓主的基礎(chǔ)基本可以忽略（雙非）~ 能夠鼓起勇氣報上交也算是對自己的一種挑戰(zhàn)吧~  很幸運研路上有好幾個熱心的學(xué)長（尤其特別感謝那位分享上年真題的學(xué)長人真的好很熱心）~
這些素未謀面熱心學(xué)長們讓自己少走了很多彎路~ 所以我也想把它傳遞下去
希望能幫到大家 ~（也為自己攢波人品）

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上真題

今年874總共有9道題很往年比出入不大
（我舍友考的819 據(jù)說8變28
所以像我這種專業(yè)課基礎(chǔ)一般早準(zhǔn)備為好）

第一題: 證明題
證明實際硅鍺中導(dǎo)帶底附近狀態(tài)密度公式為……

（沒錯就是那個一大串的）樓主我準(zhǔn)備了十個常考的證明題硬是考了這個沒怎么準(zhǔn)備的（吐血）不過這個怪自己明明10年考過但是我卻只會理想情況下的證明  寫了幾行就不知道怎么寫了

第二題 3塊半導(dǎo)體分別告訴電子濃度然后求空穴濃度判別導(dǎo)電類型（送溫暖題但是以往卷子給的參考數(shù)據(jù)ni是1.5×10的10次方今年是1.0
所以發(fā)下卷子先看看參考數(shù)據(jù)什么的別用習(xí)慣了平時用的慣常數(shù)據(jù)）

第三題:  給出一個半導(dǎo)體樣品的空穴濃度坐標(biāo)圖（p(0)線性遞減到po然后保持）

（1）求空穴電流密度Jp(x) 并畫圖
(2) 為了抵消這些空穴電流求外加電場的表達(dá)式并畫出曲線

第四題: 鋅在Si作為雙重受主告知EA1， EA2與Ev的關(guān)系(禁帶Eg已知) 求若完全補(bǔ)償ND等于10的16次方的Si需要摻鋅的濃度是？

第五題:  (1)解釋PN結(jié)勢壘電容和擴(kuò)散電容的形成機(jī)制以及相應(yīng)特點
            (2)相應(yīng)的關(guān)于PN結(jié)倆類電容的計算

第六題: 名詞解釋
通過復(fù)合時多余能量的釋放形式可以劃分為哪幾種復(fù)合形式 (輻射俄歇多聲子）
何為半導(dǎo)體的磁阻效應(yīng)

以上就是半導(dǎo)體物理的題目了（）～如果好好準(zhǔn)備了的話應(yīng)該是沒什么問題的  （今年考研樓主不是很幸運考試時有點感冒了加上當(dāng)時考完英一數(shù)一最后一門有點全程懵逼狀態(tài) 但還是堅持下來了）
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微電子器件題(3道)
以往的學(xué)長也是跟我說這部分的題相對來說很固定(考完了我也想說真的是很固定啊)
但是由于本科沒學(xué)過所以一開始上手學(xué)的有點難受而且有些東西真的就看不懂 (不過不用擔(dān)心交大不考這部分 )

第七題 :雙極性二極管(BJT)的計算  求阿爾法貝塔具體的東西不太記得了總之是很常規(guī)的題

第八題:  關(guān)于平帶電壓的計算VFb

第九題:MOSFET題  根據(jù)題目內(nèi)容可以判斷是不飽和情況下直接用薩之唐方程列倆個二元一次方程
求解即可求得

學(xué)長在此告誡一下用計算器的時候認(rèn)真點平時養(yǎng)成好習(xí)慣這類題目簡單但是數(shù)據(jù)有些多最后結(jié)果也要和平時的差不多做個對比因為當(dāng)時就摁錯了一次不過發(fā)現(xiàn)和平時數(shù)據(jù)出入太大就重新算了一遍 )

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最后～希望這份自己的這份回憶(血淚史)能幫到大家～  考完這么多天了還能記得每道題有幾分佩服自己或許是因為這段研路的記憶會一直在吧    經(jīng)歷過就好～也不知道復(fù)試有沒有機(jī)會去盡力就好～
                           ————————————2018 01 03

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