山東大學(xué)830半導(dǎo)體物理考情分析

山大考研校

學(xué)院介紹

山東大學(xué)是一所歷史悠久、學(xué)科齊全、實(shí)力雄厚、特色鮮明的教育部直屬重點(diǎn)綜合性大學(xué)，在國內(nèi)外具有重要影響，2017年順利邁入世界一流大學(xué)建設(shè)高校（A類）行列。

微電子學(xué)院

微電子學(xué)院位于山東大學(xué)濟(jì)南校區(qū)，是教育部批準(zhǔn)的全國示范性微電子學(xué)院之一（全國26所）。學(xué)院以培養(yǎng)國家核心技術(shù)人才為己任，不斷加強(qiáng)學(xué)科建設(shè)，積極開展對外合作與交流，強(qiáng)化校企合作與實(shí)踐，主動支持服務(wù)地方經(jīng)濟(jì)建設(shè)和新舊動能轉(zhuǎn)換，大力推進(jìn)微電子與集成電路的科學(xué)研究和產(chǎn)業(yè)化合作，取得了一系列的成就。

微電子學(xué)院成立以來，共承擔(dān)各類科研項(xiàng)目63項(xiàng)，經(jīng)費(fèi)總額達(dá)3500萬元。學(xué)院承擔(dān)國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目1項(xiàng)，國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃子課題項(xiàng)目2項(xiàng)、參與國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目1項(xiàng)，承擔(dān)國家級科研項(xiàng)目12項(xiàng)。

國家級科研項(xiàng)目總經(jīng)費(fèi)約2813萬元；承擔(dān)省部級科研項(xiàng)目17項(xiàng),總研究經(jīng)費(fèi)373萬元；橫向項(xiàng)目11項(xiàng)，總研究經(jīng)費(fèi)229萬元；擁有國內(nèi)外發(fā)明專利51項(xiàng)；承擔(dān)省部級教研項(xiàng)目9項(xiàng)，總經(jīng)費(fèi)96萬。學(xué)院發(fā)表SCI文章158篇，EI文章39篇，ISTP文章6篇，發(fā)明專利27項(xiàng)。學(xué)院獲得國家教學(xué)成果二等獎1項(xiàng)，山東省教學(xué)成果特等獎1項(xiàng)，二等獎2項(xiàng)。

新一代半導(dǎo)體材料研究院

關(guān)鍵核心技術(shù)是國之重器，對推動我國經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量發(fā)展、保障國家安全都具有十分重要的意義。與第一代和第二代半導(dǎo)體材料相比，新一代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和速度以及更高的抗輻射能力，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，是引領(lǐng)新一輪產(chǎn)業(yè)革命的關(guān)鍵材料，也是引領(lǐng)新舊動能轉(zhuǎn)換、保衛(wèi)國家安全的國之利器。

山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院是教育部首批支持的戰(zhàn)略科技創(chuàng)新平臺，依托山東大學(xué)開展建設(shè)。

研究院充分發(fā)揮學(xué)校在半導(dǎo)體材料研究領(lǐng)域的已有優(yōu)勢，通過整合校內(nèi)微電子、物理、化學(xué)、材料、機(jī)械、控制、信息等優(yōu)勢學(xué)科力量，瞄準(zhǔn)半導(dǎo)體材料技術(shù)未來發(fā)展方向，面向能源、信息、國防、軌道交通等領(lǐng)域的重大需求，重點(diǎn)開展碳化硅、氮化鎵、氧化鎵、金剛石、氮化鋁等新一代寬禁帶、超寬禁帶半導(dǎo)體單晶材料及器件研究工作，旨在突破關(guān)鍵核心技術(shù)，支撐核心產(chǎn)業(yè)發(fā)展，推動我國新一代半導(dǎo)體、集成電路、信息技術(shù)的快速發(fā)展，滿足國防安全和經(jīng)濟(jì)建設(shè)的重大需求。

專業(yè)介紹

830-半導(dǎo)體物理

《半導(dǎo)體物理》是微電子學(xué)與固體電子學(xué)碩士研究生入學(xué)考試的科目之一。

《半導(dǎo)體物理》考試要力求反映微電子碩士學(xué)位的特點(diǎn)，科學(xué)、公平、準(zhǔn)確、規(guī)范地測評考生的基本素質(zhì)和綜合能力，以利于選拔具有發(fā)展?jié)摿Φ膬?yōu)秀人才入學(xué)，為我國現(xiàn)代化建設(shè)事業(yè)與微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展培養(yǎng)適應(yīng)我國現(xiàn)代化建設(shè)的實(shí)際需求，德智體全面發(fā)展，掌握微電子學(xué)專業(yè)所必需的知識、理論和實(shí)驗(yàn)技能，能在微電子學(xué)及相關(guān)專業(yè)從事科研、教學(xué)、科技開發(fā)、工程技術(shù)、生產(chǎn)管理及行政管理等工作的專門人才。

專業(yè)目錄

微電子學(xué)院

新一代半導(dǎo)體材料研究院

歷年分?jǐn)?shù)線

以山東大學(xué)微電子學(xué)院為例，專業(yè)相對來說比較冷門，報(bào)考人數(shù)較少，報(bào)錄比比較低一點(diǎn)。參考19年電子信息專業(yè)報(bào)錄情況，微電子學(xué)與固體電子學(xué)報(bào)名人數(shù)28名，錄取人數(shù)9名，所以事實(shí)上初試分?jǐn)?shù)要求相對較低，300分左右也有機(jī)會，但復(fù)試難度較大。不過我們在備考的時候決不能放松，要保證平時分?jǐn)?shù)最好超過歷年的分?jǐn)?shù)線才比較保險(xiǎn)一點(diǎn)。

考試科目

初試

公共課：
思想政治理論政治科目滿分100分，有單選題，多選題以及分析題。
英語英語科目滿分100分，其中閱讀40分，完形10分，新題型10分。翻譯10分以及大小作文，其中大小作文30分。值得注意的是新題型部分，有七選五、排序和段落填空，每年都不是確定的，所以大家都需要準(zhǔn)備。
數(shù)學(xué)二

滿分150分，選擇50分，填空30分，大題70分。

專業(yè)課：830-半導(dǎo)體物理

題型包括看圖分析、計(jì)算與推導(dǎo)、問答、簡述、名詞解釋等。本科目滿分150分。

命題風(fēng)格

1、山大注重對基礎(chǔ)原理的考察，需要我們對課本原理有深入理解。
2、山大考察的知識點(diǎn)比較零碎，書中的細(xì)節(jié)知識不可忽略。
3、山大試題風(fēng)格多變，但題型相對穩(wěn)定。
從2013年到2019年，題型基本穩(wěn)定，沒有變化。從2021年開始，試卷增加了填空題和選擇題，一直延續(xù)到今年。2023年的試卷題型，大概率還是會延續(xù)今年的風(fēng)格，所以大家一定要好好做真題，把握山大命題風(fēng)格。
4、山大試題難度不定，需要大家做好充足的準(zhǔn)備。

備考要點(diǎn)

第一，小題以課本為基礎(chǔ)。一定要多看幾遍課本，吃透里面的原理。課本上的細(xì)節(jié)非常重要，一定要把它放在重中之重。
第二，大題以課后題為主，也要參考往年真題中的大題。
第三，名詞解釋簡答需要多背誦。大家可以尋找靠譜的參考資料，多背誦，多默寫。
第四，熟記公式，不要漏掉或記錯公式細(xì)節(jié)。
第五，熟記常用的參數(shù)，以免題目中不給參數(shù)。
課本的前五章是重中之重，第十章和第十二章主要考一些基礎(chǔ)的概念，名詞解釋和比較簡單的公式，因?yàn)楸绕鹎拔逭拢谑潞偷谑码y度是有所提高的。

心態(tài)管理

關(guān)于作息和學(xué)習(xí)。時刻保持學(xué)習(xí)狀態(tài)，不要輕易打亂節(jié)奏。養(yǎng)成自己的作息習(xí)慣和學(xué)習(xí)方式，不要追求越早起床越好。有人適合八點(diǎn)起床，這樣效率反而更高。
循序漸進(jìn)，前期慢慢調(diào)整狀態(tài)，每一周要留出合適的休息時間，這樣下一周才能充滿電，到11月份調(diào)到最佳狀態(tài)就好。
十二月就是拼心態(tài)，堅(jiān)持住了，其實(shí)就贏了一大半，不要跟別人比進(jìn)度。這一點(diǎn)很重要，直到最后，大家知識點(diǎn)掌握了差不多，那為什么有的人行，有的人不行。就是拼心態(tài)的過程，心態(tài)一定要穩(wěn)，一定不要跟別人比進(jìn)度，安排好自己的復(fù)習(xí)時間，按照自己規(guī)劃復(fù)習(xí)，按部就班的學(xué)習(xí)，因?yàn)槊總€人不一樣，具體問題具體分析，所以做好自己事情就好了。