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考研論壇

標題: 2019年清華大學微電子初試真題回憶（832） [打印本頁]

作者: 哈2994551392 時間: 2019-1-14 15:11
標題: 2019年清華大學微電子初試真題回憶（832）
考完試之后出去旅游了一趟，趁著還沒忘真題，趕緊來這里寫一寫，供學弟學妹參考一下，2019年的832考題可以說是近十年來最簡單的一次，真題重復率很高，沒有偏題怪題。總體考察半導體物理器件，模電，數電三門課程，各占50分，今年一共有8道題目。
第一題是考察pn結電流（20分)求正向電流1毫安時的外加電壓，在2010,2015年考察過此原題。第二題是場效應管Id電流相關（30分）分為4問，第一問是求w，第二問求飽和狀態下的Id，第三問求非飽和狀態下的Id，第四問求考慮飽和速度下的Id和溝道中最大電場，在2011-2018每年都考察過這道題。以上是半導體物理器件的50分，相比17年和18年瘋狂考察半導體物理的知識，今年出題的老師簡直宅心仁厚。第三題是模電的基礎填空題（17分)有自激振蕩條件，負反饋組態，濾波器選用，BJT三種組態等，題目幾乎和2010和2016年差不多。第四題是一道基礎共源放大題（13分）第一問求兩個場效應管工作在什么區，第二問求輸出阻抗，帶寬增益積，輸入阻抗等，這道題跟2016年的那道模電題有相似之處。第五題是運放計算題（20分）第一問簡答理想運放的參數指標，第二問計算電壓表達式，第三問忽略一個電阻變為積分電路，第四問求電壓。此題在2015和2017年考察過，稍有變化。以上是模電的三道題，主要考察mos管放大和運放計算，2019年數電變化稍微大一點，摒棄以前傳統的數制碼制+卡洛圖+門電路畫圖，變為了第六題（25分）簡答題，問到了競爭冒險的產生，用4個與非門設計異或門，格雷碼和8421轉換，FPGA的中文解釋和它含有的單元等。第七題是傳統的施密特觸發器題（10分)求正向反向的閾值電壓，想必大家都爛熟于心。第八題是邏輯時序電路的分析（15分）基本的計數器分析，注意要把非循環狀態考慮進來，在2010,2013,2015和2018都考察過類似問題。以上是數電內容，也不難，估計今年832會有很多120+的選手，我等只能聽天由命了，為這場考試準備了小半年，我看到清華的考研的神秘性，幾乎沒有信息來源，前幾年的報考人數，錄取情況都沒有明確的公布，真題也是花了好幾個月拼拼湊湊弄到的，不以成敗論英雄，初試到此結束了，坐等2月中旬出結果吧～～～～～一只坐在工作室喝咖啡的大四狗。
來源: 2019清華微電子832真題回憶

作者: 北交孫笑川 時間: 2019-2-22 13:20
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